La aparición de electrónicos portátiles, como teléfonos celulares, reproductores MP3, cámaras digitales y netbooks, en los últimos 20 años ha llevado a las nubes demanda para no volátil (retener información después de que se quita energía) debido a su pequeño tamaño y bajo consumo de memoria flash. Sin embargo, la mayor escala de memoria flash más allá de la tecnología 15-nanómetros (dimensión característica) es altamente problemática debido al límite fundamental de la estructura celular. Célula la unidad de memoria flash es muy similar al convencional metal-oxide-semiconductor transistor efecto de campo (MOSFET), excepto la puerta flotante adicional para almacenar cargas eléctricas. No está claro si la tecnología MOSFET puede escalarse más allá de la longitud del canal de 15 nm, puesto que la limitación física del quántum-mecánico-túnel corriente puede dominar en esas longitudes de canal corto.

Mientras tanto, ha habido investigaciones muy activo en las memorias no volátiles alternativos para sustituir a flash. Entre los más maduros son memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FRAM), memoria de acceso aleatorio magnetoresistive (MRAM) y memoria de acceso aleatorio de cambio de fase (PCRAM). Tecnología MOSFET aunque no es necesaria para almacenar los datos en estas tecnologías, agregando a las células de la unidad es inevitable en la mayoría de los casos para garantizar la correcta lectura y escritura las operaciones en la matriz de memoria, donde la alteración de las células vecinas es una seria preocupación. Por lo tanto, la escalabilidad de estas tecnologías más allá de la actual flash memoria es inverosímil. Que revisará este punto más adelante en el artículo. , Además, porque su unidad (hechas de un MOSFET y un elemento de memoria) las células son más grandes que los de flash, el costo sería mayor. En consecuencia, es improbables que compiten directamente con memoria flash en el mercado convencional. De hecho, las aplicaciones actuales de FRAM, MRAM y PCRAM están limitadas a áreas de nicho, como sistemas aeroespaciales.